Qual a principal vantagem dos MOSFETs?

Perguntado por: umello . Última atualização: 4 de abril de 2023
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Um MOSFET, comparado com outros dispositivos semicondutores de potência (IGBT, Tiristor...), tem como vantagens a alta velocidade de comutação e boa eficiência em baixa voltagem. Compartilha com o IGBT uma ponte isolada que torna mais fácil sua condução.

Por este motivo, os IGBTs são preferidos para as aplicações que operam com baixas frequências de comutação, enquanto que os MOSFETs de potência têm um melhor desempenho nas aplicações em que correntes de frequências mais elevadas devam ser controladas.

O MOSFET é um dos elementos básicos no projeto de fontes. Sua denominação MOSFET é um acrônimo de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Basicamente é considerado como um componente com três terminais, gate, drain e source, que atua de maneira simplificada como uma chave eletrônica.

Entre as vantagens sobre as velhas válvulas, os transistores eram mais confiáveis e velozes, tinham aquecimento mínimo e pequeno consumo de energia.

Nos Transistores de Efeito de Campo Semicondutor de Óxido Metálico, MOSFET, é como um transistor FET, porém o terminal Porta isolado demais por uma fina camada de óxido de silício, o que faz com que os transistores MOSFET tenham uma alta impedância (resistência) na entrada.

Em circuitos digitais, os MOSFETs são usadas preferencialmente as regiões de corte e região ôhmica. Em circuitos analógicos é usado o transístor em modo de saturação, o que costuma fazer confusão com o modo de saturação dos transístores bipolares de junção que são substancialmente diferentes.

Um MOSFET é responsável por controlar tanto a tensão quanto a corrente elétrica originada na fonte para a operação do chip e ele atua em conjunto com o capacitor MOS (Metal Oxide Semiconductor), um semicondutor construído com substrato de silício.

No dia a dia, o transistor MOSFET é usado em circuitos e equipamentos para ampliação do sinal (ou tensão) enviados pela fonte principal, com o objetivo de gerar voltagem e alimentar específicos circuitos.

Para os tipos básicos de IGBT e MOSFET a diferença principal está na estrutura interna. Enquanto no MOSFET a conexão de dreno está em contacto direto com a camada -n, no IGBT existe uma camada adicional +p que é justamente o elemento bipolar.

A principal diferença entre essa estrutura do IGBT e a de um MOSFET é a inclusão de um substrato P+ (O símbolo “+” foi colocado para indicar que esta região é fortemente dopada, enquanto que o símbolo “-” indica que a região é fracamente dopada) onde é conectado o terminal de coletor (collector).

Um MOSFET tipo depleção de canal n é formado sobre um substrato de silício do tipo p com duas seções de silício fortemente dopadas n+, para conexões de baixa resistência. Um MOSFET tipo intensificação de canal n não possui canal físico.

O transistor MOSFET é um dos principais componentes em qualquer conversor chaveado. Em geral, esse tipo de transistor requer um circuito de comando para o seu acionamento, principalmente quando o controle é realizado a partir de microcontroladores (MCUs) ou processadores digitais de sinais (DSPs).

Descrição. Módulo MOSFET é utilizado com microcontroladores como PIC ou com placas de desenvolvimento como Arduinos e Raspberry, para fazer o controle de solenóides, ponte-H de motores DC, lâmpadas entre outros.

b) Desvantagens: * Elevada capacitância de entrada que limita sua resposta de frequência. Mesmo os transistores podem ser usados em amplificadores de diversas formas ou "classes". Estas classes podem resultar em sons e rendimentos diferentes que os ouvidos mais sensíveis podem perceber.

Os transistores têm duas funções básicas: amplificar a corrente elétrica ou barrar a sua passagem. Quando na função de amplificador, os transistores são alimentados por uma baixa corrente elétrica de entrada, amplificando-a e, assim, produzindo uma corrente elétrica de saída com maior intensidade.

O primeiro MOSFET efetivamente construído foi de Kahng e Atalla no Bell Labs em 1960.

Conhecido como transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido metálico. Representa uma classe especial de transistores de efeito de campo em circuitos digitais ou analógicos que, por ter uma rápida comutação, se torna especial para altas freqüências.