Qual a função do MOSFET na placa mãe?

Perguntado por: zpires . Última atualização: 7 de maio de 2023
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Um MOSFET é responsável por controlar tanto a tensão quanto a corrente elétrica originada na fonte para a operação do chip e ele atua em conjunto com o capacitor MOS (Metal Oxide Semiconductor), um semicondutor construído com substrato de silício.

Mosfet comum: É muito utilizado em equipamentos eletrônicos para amplificar sinais sendo bastante encontrado em amplificadores de áudio pois ele dá o retorno de um maior potencial para reproduzir o som além de influenciar na qualidade do áudio.

Realmente a causa da queima pode ser subdimenciomento do mesmo ou alguma proteção do circuito que não atua direito p.

Por outro lado, quando uma tensão VGS é aplicada, o transistor MOSFET entra em condução. Nesse caso, a resistência entre o dreno e o source, RDS(on), se torna nula, permitindo assim a circulação da corrente ID.

Lateral MOSFET
A pequena potência se deve ao fato de que praticamente nenhuma corrente flui pelo depois que a pequena capacitância de gate é carregada. A desvantagem está na alta resistência do canal havendo limitações para sua redução principalmente em relação aos custos.

Em circuitos digitais, os MOSFETs são usadas preferencialmente as regiões de corte e região ôhmica. Em circuitos analógicos é usado o transístor em modo de saturação, o que costuma fazer confusão com o modo de saturação dos transístores bipolares de junção que são substancialmente diferentes.

Transistor SOI MOSFET
No entanto, há algumas desvantagens, tais como: alto custo de fabricação da lâmina SOI; efeito da elevação abrupta de corrente; efeito transistor bipolar parasitário e a forte dependência da tensão de limiar de porta com a espessura e com a concentração de dopantes da camada de silício [2].

Assim, o IGBT é mais fácil de ser controlado do que um MOSFET, permitindo maior precisão na condução do circuito. Além disso, o IGBT tem uma maior capacidade de suportar correntes elevadas do que um transistor bipolar. Os IGBTs são amplamente utilizados em conversores CC-CC, motores elétricos e inversores.

O transistor MOSFET é um dos principais componentes em qualquer conversor chaveado. Em geral, esse tipo de transistor requer um circuito de comando para o seu acionamento, principalmente quando o controle é realizado a partir de microcontroladores (MCUs) ou processadores digitais de sinais (DSPs).

livremente entre os terminais dreno(D) e fonte(S), acionando a carga. Como exemplo, vamos considerar um MOSFET com tensão de disparo de VGS(th) = 2 V. Para acionar um transistor MOSFET, basta ultrapassar a tensão de disparo, independente da carga que será acionada.

Para selecionarmos adequadamente um MOSFET, podemos focar nesses seis parâmetros chaves [1]: Tensão de bloqueio (VDS): deve ser maior do que a máxima tensão que o MOSFET precisa suportar no circuito, acrescentada de uma margem de 30-50%. Um valor muito maior pode impactar o custo do conversor.

Os dois tipos de MOSFET são: (1) depleção e (2) intensificação. Um MOSFET tipo depleção de canal n é formado sobre um substrato de silício do tipo p com duas seções de silício fortemente dopadas n+, para conexões de baixa resistência.

Os dois tipos de MOSFET, depleção e enriquecimento tem o mesmo princípio de funcionamento, a principal diferença está na existência de um canal físico no MOSFET tipo depleção, enquanto que no tipo enriquecimento esse canal é virtual, criado pelo deslocamento de elétrons.

Nos Transistores de Efeito de Campo Semicondutor de Óxido Metálico, MOSFET, é como um transistor FET, porém o terminal Porta isolado demais por uma fina camada de óxido de silício, o que faz com que os transistores MOSFET tenham uma alta impedância (resistência) na entrada.

O MOSFET é um dos elementos básicos no projeto de fontes. Sua denominação MOSFET é um acrônimo de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Basicamente é considerado como um componente com três terminais, gate, drain e source, que atua de maneira simplificada como uma chave eletrônica.

O IGBT reúne a facilidade de acionamento dos MOSFET's e sua elevada impedância de entrada com as pequenas perdas em condução dos TBP (Transistores Bipolares de Potência). Sua velocidade de chaveamento é determinada, a princípio, pelas características mais lentas – as quais são devidas às características do TBP.

As Características dos MOSFETs de Canal P
Os MOSFETs de canal P também são dispositivos que tem uma estrutura no modo de enriquecimento , com símbolo mostrado na figura 1. Uma tensão entre a comporta (gate) e a fonte (source) leva o dispositivo a conduzir a corrente entre a fonte (source) e o dreno (drain).

Um transistor MosFET possui três pinos: Gate, Drain, e Source. O transistor MosFET funciona como uma "torneira" que controla o fluxo de corrente/tensão entre os pinos de fonte e dreno, através do nível de tensão do pino de gate.

A estrutura de um MOSFET. Uma fina película de óxido de metal isola a região de comporta da região do canal que liga o dreno à fonte. Dependendo da polaridade dos materiais semicondutores usados podemos ter MOSFET de canais N ou P, conforme mostram os símbolos da figura 3. Tipos de MOSFET.