Qual a função do IGBT em um inversor de frequência?

Perguntado por: ialves4 . Última atualização: 7 de maio de 2023
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A função básica de um IGBT é o chaveamento mais rápido possível das correntes elétricas com as menores perdas possíveis. Como o nome sugere, um IGBT é um transístor bipolar com uma estrutura de porta isolada; a própria porta é basicamente um MOSFET.

IGBTs são usados para controlar solenóides, motores, em fontes chaveadas e em muitas outras aplicações importantes onde o controle de altas correntes a partir de tensões é necessário.

Para os tipos básicos de IGBT e MOSFET a diferença principal está na estrutura interna. Enquanto no MOSFET a conexão de dreno está em contacto direto com a capama -n, no IGBT existe uma camada adicional +p que é justamente o elemento bipolar.

Quanto menor a freqüência de chaveamento, maior o ruído produzido pelo motor, menor a precisão da tensão gerada pelos transistores, porém, aumenta a vida útil dos IGBT's. Geralmente a faixa de ajuste da freqüência de chaveamento da maioria das marcas de inversores e na faixa de 1,25kHz a 10kHz.

O inversor de frequência é um dispositivo eletrônico que varia a velocidade de giro de um motor de indução trifásico. Para isso, o aparelho transforma corrente elétrica alternada fixa em corrente elétrica CA variável, controlando a potência consumida pela carga por meio da variação de frequência entregue pela rede.

Basicamente, o módulo IGBT semikron é um tipo de transistor bipolar de porta isolada que funciona por sistema de chaveamento e que é conhecido por apresentar uma baixa queda de tensão quando ligado.

Um dos testes mais comuns para a prova de um IGBT é o teste dinâmico que consiste em se colocar como carga uma lâmpada de 40 a 100 W no seu coletor e alimentar o circuito com uma tensão de até 20 VDC. Com a comporta ligada ao emissor do transistor, ele deve permanecer no corte e com isso a lâmpada apagada.

Uma desvantagem do IGBT em relação ao BJT padrão é o tempo mais lento para o desligamento. Para comutação rápida e capacidade de manipulação de alta corrente, é difícil bater o transistor de junção bipolar.

Mosfet comum: É muito utilizado em equipamentos eletrônicos para amplificar sinais sendo bastante encontrado em amplificadores de áudio pois ele dá o retorno de um maior potencial para reproduzir o som além de influenciar na qualidade do áudio.

Para o caso dos MOSFETs eles possuem internamente um diodo anti-paralelo no próprio chip, conforme mostra a figura 1, o qual serve para absorver esses pulsos de polaridade inversa que são gerados na comutação de cargas indutivas. O manuseio direto do componente pode causar danos se ocorrer uma descarga eletrostática.

Trata-se de RUSSEL SHOEMAKER OHL que nasceu em 1898 e morreu em 1987.

O IGBT reúne a facilidade de acionamento dos MOSFET's e sua elevada impedância de entrada com as pequenas perdas em condução dos TBP (Transistores Bipolares de Potência). Sua velocidade de chaveamento é determinada, a princípio, pelas características mais lentas – as quais são devidas às características do TBP.

Um MOSFET, comparado com outros dispositivos semicondutores de potência (IGBT, Tiristor...), tem como vantagens a alta velocidade de comutação e boa eficiência em baixa voltagem. Compartilha com o IGBT uma ponte isolada que torna mais fácil sua condução.

O transistor MOSFET (acrônimo de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, ou transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido metálico), é, de longe, o tipo mais comum de transistores de efeito de campo em circuitos tanto digitais quanto analógicos.