Quais são os tipos de transistores?

Perguntado por: icastro . Última atualização: 4 de abril de 2023
4.7 / 5 2 votos

Ao todo, existem três configurações de transistores existentes: o sanduíche de silício, o transistor de junção e o transistor de efeito de campo.

O transistor é um componente de circuito elétrico, cujo nome vem do termo transfer resistor, ou seja, resistor de transferência, que se tornou popular nos anos de 1950, sendo ele o grande responsável pela revolução da eletrônica. Uma de suas principais funções é a de aumentar e chavear os sinais elétricos.

Existem dois Tipos de TsJB (BJTs): npn e pnp. O Tipo npn consiste em duas Regiões n separadas por uma Região p. O Tipo pnp consiste em duas Regiões p separadas por uma Região n.

Os transistores PNP operam com valores positivo – negativo – positivo, o transistor PNP possui duas junções PN, acomodadas uma voltada para outra, os cristais negativos ficam um em contato com o outro, sendo assim, temos a formação do transistor de junção bipolar (TJB) PNP.

O transistor NPN é formado por duas junções NP, na sequência NP-PN. Formado por três cristais de silício, sendo dois N e um P(NPN). A junção Emissor/Base é diretamente polarizada, a junção Base/Colector é inversamente polarizada.

Os transistores MOSFETs são dispositivos controlados por tensão, pois um sinal positivo na porta de um transistor do canal N, cria um campo elétrico que atrai elétrons na região semicondutora, formando o canal de condução.

O termo NPN ou PNP se refere à construção interna do sensor, com um semicondutor do tipo N ou do tipo P. Com a finalidade de simplificar esse tema, você pode pensar no N como a lado Negativo e P como o lado Positivo. Um sensor PNP, quando acionado, vai conectar o positivo (+) à carga.

Os transistores PNP são constituídos por 2 camadas de material P emparelhando uma camada de material N, enquanto os transistores NPN são compostos de 2 camadas de material N que embalam 1 camada de material P. Realmente opostos.

Na prática, a tecnologia MOSFET é utilizada para amplificar o sinal enviado pela unidade principal para alimentar os alto-falantes de equipamentos eletrônicos, resultando em maior potência do som produzido.

No mercado existem três tipos diferentes de transistores de potência: o bipolar, o unipolar ou FET (Field Effect Transitor) e o IGBT.

O transistor NPN possui suas junções NP uma voltada contra a outra, com o cristal P (positivo) para as costas da outra junção, formando, então, o transistor de junção bipolar (TJB) NPN. Esse é acionado com carga positiva em relação ao emissor.

MOSFET de potência tem o funcionamento semelhante ao do BJT, a principal diferença está na forma de controle. O BJT funciona a partir de uma corrente de base mínima para que flua uma corrente no coletor, o MOSFET funciona controlado por uma tensão, e não uma corrente como o BJT.

O IGBT é um transistor de efeito de campo bipolar que combina as características dos transistores MOSFET e BJT. Ele é amplamente utilizado em aplicações de potência, como motores elétricos, conversores DC-DC, inversores, retificadores e outros dispositivos eletrônicos.

Para os tipos básicos de IGBT e MOSFET a diferença principal está na estrutura interna. Enquanto no MOSFET a conexão de dreno está em contacto direto com a camada -n, no IGBT existe uma camada adicional +p que é justamente o elemento bipolar.