O que significa a palavra MOSFET?

Perguntado por: ubaptista8 . Última atualização: 4 de abril de 2023
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A palavra MOSFET é a sigla em inglês para "Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor", também conhecido como transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido metálico.

O MOSFET em condução
A corrente flui através da seção vertical do dispositivo. A resistência total em condução é dada pelo somatório das resistências da região n-, do canal, terminais de contato de dreno e fonte (source). Junção p-n- resulta num diodo Di em anti-paralelo com o sentido de condução dreno-source.

Um MOSFET é responsável por controlar tanto a tensão quanto a corrente elétrica originada na fonte para a operação do chip e ele atua em conjunto com o capacitor MOS (Metal Oxide Semiconductor), um semicondutor construído com substrato de silício.

Para verificar se o MOSFET ligou, teste os terminais entre Dreno e Source com um multímetro na posição de diodo, conforme a figura a seguir: Se a tensão for próxima de 0V indica que o transistor ligou, pois existe condução entre os terminais.

Conforme discutido no artigo intitulado “Transistor MOSFET de Potência”, esse tipo de transistor é comandado por tensão, ou seja, para acionarmos um MOSFET precisamos aplicar uma tensão positiva maior ou menor que a tensão de threshold entre os terminais gate e source.

O MOSFET é um dos elementos básicos no projeto de fontes. Sua denominação MOSFET é um acrônimo de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Basicamente é considerado como um componente com três terminais, gate, drain e source, que atua de maneira simplificada como uma chave eletrônica.

Os transistores têm duas funções básicas: amplificar a corrente elétrica ou barrar a sua passagem. Quando na função de amplificador, os transistores são alimentados por uma baixa corrente elétrica de entrada, amplificando-a e, assim, produzindo uma corrente elétrica de saída com maior intensidade.

Em 1960 John Atalla desenvolveu o MOSFET baseado nas teorias de William Shockley sobre o efeito de campo.

Acontece que quando o mosfet cortar a tensão fica negativa no dreno com a tensão de condução do diodo D271. No source a tensão fica com aproximadamente a tensão da fonte de +24V. Então, logo após cortar a tensão VDS fica com aprox. -24V - VD.

Conhecido como transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido metálico. Representa uma classe especial de transistores de efeito de campo em circuitos digitais ou analógicos que, por ter uma rápida comutação, se torna especial para altas freqüências.

Descrição. Módulo MOSFET é utilizado com microcontroladores como PIC ou com placas de desenvolvimento como Arduinos e Raspberry, para fazer o controle de solenóides, ponte-H de motores DC, lâmpadas entre outros.

Um transistor MosFET possui três pinos: Gate, Drain, e Source. O transistor MosFET funciona como uma "torneira" que controla o fluxo de corrente/tensão entre os pinos de fonte e dreno, através do nível de tensão do pino de gate.

Os dois tipos de MOSFET são: (1) depleção e (2) intensificação. Um MOSFET tipo depleção de canal n é formado sobre um substrato de silício do tipo p com duas seções de silício fortemente dopadas n+, para conexões de baixa resistência.

A principal diferença entre essa estrutura do IGBT e a de um MOSFET é a inclusão de um substrato P+ (O símbolo “+” foi colocado para indicar que esta região é fortemente dopada, enquanto que o símbolo “-” indica que a região é fracamente dopada) onde é conectado o terminal de coletor (collector).

Símbolo simplificado (B e S conectados). (a) Símbolo circuital para o MOSFET tipo enriquecimento em canal-n. (b) Símbolo circuital modificado, com uma seta no terminal de source para distinguí-lo do drain e para indicar a polaridade do dispositivo (i.e. canal n).

O teste mais simples é feito com o multímetro ou provador de continuidade e permite detectar apenas quando o componente está em curto. Testes mais completos podem ser feitos com circuitos simples de simulação ou ainda com o osciloscópio com a ajuda do gerador de funções.

Para cortar um transistor MOSFET é necessário que Vgs < Vt e Id = 0, ou seja, a tensão de Gate e Source seja menor que a tensão de limiar, onde a corrente do Drain será igual a zero.

O primeiro MOSFET efetivamente construído foi de Kahng e Atalla no Bell Labs em 1960.

Exemplos de transistores mais utilizados em circuitos eletrônicos são os transistores NPN e PNP BC548 e BC558, juntamente com outros similares da mesma família.

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