O que é MOSFET Canal N?

Perguntado por: imeireles . Última atualização: 4 de abril de 2023
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O IRF540N - Transistor Mosfet Canal N é um componente vastamente utilizado em circuitos PWM e projetos onde é necessária alta velocidade de comutação, possui encapsulamento de fácil montagem de três pinos.

As diferenças em relação aos dispositivos de canal N estão justamente na polaridade da tensão que deve ser aplicada à comporta e no sentido da corrente que circula através do dispositivo. Como no caso de transistores bipolares NPN e PNP, podemos dizer que os MOSFETs de Canal N e de Canal P são "complementares".

Os MOSFET se dividem em duas categorias, os MOSFET de depleção e os MOSFET de enriquecimento.

Um MOSFET é responsável por controlar tanto a tensão quanto a corrente elétrica originada na fonte para a operação do chip e ele atua em conjunto com o capacitor MOS (Metal Oxide Semiconductor), um semicondutor construído com substrato de silício.

Mosfet SMD: É muito utilizado na construção de chips eletrônicos, com uma ampla variedade de aplicações, como utilização em processos de amplificação e produção de sinais e em operações de chaveamento. Utilizamos muito na eletrônica o mosfet canal N, que se assemelha ao Transistor NPN, sendo a entrada do Gate positiva.

Um MOSFET, comparado com outros dispositivos semicondutores de potência (IGBT, Tiristor...), tem como vantagens a alta velocidade de comutação e boa eficiência em baixa voltagem. Compartilha com o IGBT uma ponte isolada que torna mais fácil sua condução.

No dia a dia, o transistor MOSFET é usado em circuitos e equipamentos para ampliação do sinal (ou tensão) enviados pela fonte principal, com o objetivo de gerar voltagem e alimentar específicos circuitos.

Ressalta-se que para o MOSFET permanecer em condução é necessário manter a tensão VGS, caso contrário ocorrerá o bloqueio. Como já mencionado, se uma tensão reversa for aplicada entre o dreno e o source, o MOSFET conduzirá uma corrente em sentido contrário devido à presença do diodo intrínseco Di.

A principal diferença entre essa estrutura do IGBT e a de um MOSFET é a inclusão de um substrato P+ (O símbolo “+” foi colocado para indicar que esta região é fortemente dopada, enquanto que o símbolo “-” indica que a região é fracamente dopada) onde é conectado o terminal de coletor (collector).

O Módulo MOSFET PWM de Alta Potência 30A 400W de 5V a 36V é um dispositivo que tem como finalidade fazer o controle de potência em cargas DC.

Acontece que quando o mosfet cortar a tensão fica negativa no dreno com a tensão de condução do diodo D271. No source a tensão fica com aproximadamente a tensão da fonte de +24V. Então, logo após cortar a tensão VDS fica com aprox. -24V - VD.

Conforme discutido no artigo intitulado “Transistor MOSFET de Potência”, esse tipo de transistor é comandado por tensão, ou seja, para acionarmos um MOSFET precisamos aplicar uma tensão positiva maior ou menor que a tensão de threshold entre os terminais gate e source.

Ao todo, existem três configurações de transistores existentes: o sanduíche de silício, o transistor de junção e o transistor de efeito de campo.

MOSFET é um switch que permite ou não que a corrente elétrica passe através de um circuito eletrônico.

Por este motivo, os IGBTs são preferidos para as aplicações que operam com baixas frequências de comutação, enquanto que os MOSFETs de potência têm um melhor desempenho nas aplicações em que correntes de frequências mais elevadas devam ser controladas.

Para verificar se o MOSFET ligou, teste os terminais entre Dreno e Source com um multímetro na posição de diodo, conforme a figura a seguir: Se a tensão for próxima de 0V indica que o transistor ligou, pois existe condução entre os terminais.

O IGBT é um transistor de efeito de campo bipolar que combina as características dos transistores MOSFET e BJT. Ele é amplamente utilizado em aplicações de potência, como motores elétricos, conversores DC-DC, inversores, retificadores e outros dispositivos eletrônicos.