Como saber a voltagem do MOSFET?

Perguntado por: lgentil . Última atualização: 7 de maio de 2023
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Se o multímetro medir um valor entre 0,3V e 0,7V no sentido direto e OL. Ou 1—- no sentido reverso, está indicando que o MOSFET está bom. O próximo passo é verificar se o MOSFET está acionando (ligando e desligando).

O MOSFET é um dos elementos básicos no projeto de fontes. Sua denominação MOSFET é um acrônimo de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Basicamente é considerado como um componente com três terminais, gate, drain e source, que atua de maneira simplificada como uma chave eletrônica.

Por outro lado, quando uma tensão VGS é aplicada, o transistor MOSFET entra em condução. Nesse caso, a resistência entre o dreno e o source, RDS(on), se torna nula, permitindo assim a circulação da corrente ID.

Os dois tipos de MOSFET são: (1) depleção e (2) intensificação.

Conforme discutido no artigo intitulado “Transistor MOSFET de Potência”, esse tipo de transistor é comandado por tensão, ou seja, para acionarmos um MOSFET precisamos aplicar uma tensão positiva maior ou menor que a tensão de threshold entre os terminais gate e source.

Para o caso dos MOSFETs eles possuem internamente um diodo anti-paralelo no próprio chip, conforme mostra a figura 1, o qual serve para absorver esses pulsos de polaridade inversa que são gerados na comutação de cargas indutivas. O manuseio direto do componente pode causar danos se ocorrer uma descarga eletrostática.

Um MOSFET, comparado com outros dispositivos semicondutores de potência (IGBT, Tiristor...), tem como vantagens a alta velocidade de comutação e boa eficiência em baixa voltagem. Compartilha com o IGBT uma ponte isolada que torna mais fácil sua condução.

Um MOSFET é responsável por controlar tanto a tensão quanto a corrente elétrica originada na fonte para a operação do chip e ele atua em conjunto com o capacitor MOS (Metal Oxide Semiconductor), um semicondutor construído com substrato de silício.

Utilizamos muito na eletrônica o mosfet canal N, que se assemelha ao Transistor NPN, sendo a entrada do Gate positiva.

Transistor SOI MOSFET
No entanto, há algumas desvantagens, tais como: alto custo de fabricação da lâmina SOI; efeito da elevação abrupta de corrente; efeito transistor bipolar parasitário e a forte dependência da tensão de limiar de porta com a espessura e com a concentração de dopantes da camada de silício [2].

O transistor MOSFET (acrônimo de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, ou transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido metálico), é, de longe, o tipo mais comum de transistores de efeito de campo em circuitos tanto digitais quanto analógicos.

Nos Transistores de Efeito de Campo Semicondutor de Óxido Metálico, MOSFET, é como um transistor FET, porém o terminal Porta isolado demais por uma fina camada de óxido de silício, o que faz com que os transistores MOSFET tenham uma alta impedância (resistência) na entrada.

Lateral MOSFET
A pequena potência se deve ao fato de que praticamente nenhuma corrente flui pelo depois que a pequena capacitância de gate é carregada. A desvantagem está na alta resistência do canal havendo limitações para sua redução principalmente em relação aos custos.

Tocando com uma chave de fendas ou fazendo uma ponte entre o gate (g) e o coletor (C) do transistor, ele deve comutar. Isso fará com que a resistência caia, passando de um valor muito alto para um valor mais baixo que depende das características do IGBT em teste e do próprio multímetro.

O transistor substituto deve ter uma potência igual ou maior do que a do original e ainda condições de ser montado no mesmo radiador de calor quando usado, conforme mostra a figura 3. Transistores que exigem dissipadores diferentes para montagem. O ganho é muito importante na maioria das aplicações.

Para os tipos básicos de IGBT e MOSFET a diferença principal está na estrutura interna. Enquanto no MOSFET a conexão de dreno está em contacto direto com a capama -n, no IGBT existe uma camada adicional +p que é justamente o elemento bipolar.

O IRF540N - Transistor Mosfet Canal N é um componente vastamente utilizado em circuitos PWM e projetos onde é necessária alta velocidade de comutação, possui encapsulamento de fácil montagem de três pinos.

A tensão de limiar (Vth) é um dos parâmetros mais básicos de um transistor MOSFET e é definida como a mínima tensão aplicada à porta (VG) necessária para que haja a formação de uma camada de inversão, formada por portadores minoritários, que conecta as regiões de dreno e fonte, permitindo a passagem de corrente.

O Mosfet possui 3 terminais, sendo Dreno (D) e Source (S) classificados como terminais de potência, e o Gate (G) classificado como terminal de comando.

Representa uma classe especial de transistores de efeito de campo em circuitos digitais ou analógicos que, por ter uma rápida comutação, se torna especial para altas freqüências. Por sua habilidade de suportar alta corrente, é um componente muito útil em eletrônica de potência.

O Módulo de Controle Mosfet com optoacoplador é utilizado para controle de circuitos eletrônicos, como a partida e parada de um motor, válvula solenoide, luminosidade, entre outros.

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