Como medir um IGBT com Multimetro?

Perguntado por: exisco . Última atualização: 7 de maio de 2023
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Tocando com uma chave de fendas ou fazendo uma ponte entre o gate (g) e o coletor (C) do transistor, ele deve comutar. Isso fará com que a resistência caia, passando de um valor muito alto para um valor mais baixo que depende das características do IGBT em teste e do próprio multímetro.

O igbt inversor de frequência é também conhecido no mercado como conversor de frequência. Resumidamente, esse equipamento realiza a função de conversão de uma potência do ciclo alternado senoidal para transformá-la em corrente contínua.

O IGBT reúne a facilidade de acionamento dos MOSFET's e sua elevada impedância de entrada com as pequenas perdas em condução dos TBP (Transistores Bipolares de Potência). Sua velocidade de chaveamento é determinada, a princípio, pelas características mais lentas – as quais são devidas às características do TBP.

O IGBT deve ser acionado por um circuito dedicado que deve fornecer os níveis de tensão adequados para realizar o acionamento, sem risco de danificar o dispositivo ou mesmo de ocasionar um disparo acidental. Um exemplo de circuito driver se encontra na figura abaixo. Figura 7: Circuito driver para IGBT.

Para os tipos básicos de IGBT e MOSFET a diferença principal está na estrutura interna. Enquanto no MOSFET a conexão de dreno está em contacto direto com a capama -n, no IGBT existe uma camada adicional +p que é justamente o elemento bipolar.

Um dos testes mais comuns para a prova de um IGBT é o teste dinâmico que consiste em se colocar como carga uma lâmpada de 40 a 100 W no seu coletor e alimentar o circuito com uma tensão de até 20 VDC. Com a comporta ligada ao emissor do transistor, ele deve permanecer no corte e com isso a lâmpada apagada.

O nome IGBT, é uma sigla de origem na Língua Inglesa e significa insulated-gate bipolar transistor ou, em Português transistor bipolar de porta isolada.

IGBTs são usados para controlar solenóides, motores, em fontes chaveadas e em muitas outras aplicações importantes onde o controle de altas correntes a partir de tensões é necessário.

Para o caso dos MOSFETs eles possuem internamente um diodo anti-paralelo no próprio chip, conforme mostra a figura 1, o qual serve para absorver esses pulsos de polaridade inversa que são gerados na comutação de cargas indutivas. O manuseio direto do componente pode causar danos se ocorrer uma descarga eletrostática.

Uma desvantagem do IGBT em relação ao BJT padrão é o tempo mais lento para o desligamento. Para comutação rápida e capacidade de manipulação de alta corrente, é difícil bater o transistor de junção bipolar.

Mosfet comum: É muito utilizado em equipamentos eletrônicos para amplificar sinais sendo bastante encontrado em amplificadores de áudio pois ele dá o retorno de um maior potencial para reproduzir o som além de influenciar na qualidade do áudio.

Quanto menor a freqüência de chaveamento, maior o ruído produzido pelo motor, menor a precisão da tensão gerada pelos transistores, porém, aumenta a vida útil dos IGBT's. Geralmente a faixa de ajuste da freqüência de chaveamento da maioria das marcas de inversores e na faixa de 1,25kHz a 10kHz.

O inversor de frequência é um dispositivo eletrônico que varia a velocidade de giro de um motor de indução trifásico. Para isso, o aparelho transforma corrente elétrica alternada fixa em corrente elétrica CA variável, controlando a potência consumida pela carga por meio da variação de frequência entregue pela rede.

Trata-se de RUSSEL SHOEMAKER OHL que nasceu em 1898 e morreu em 1987.

O transistor de efeito de campo (FET – Field Effect Transistor) funciona através de um campo elétrico em sua junção. Ele é bastante utilizado em amplificadores, como chave ou controle de corrente em uma carga, assim como o TBJ já apresentado aqui.

Existem dois tipos de JFETs: canal N e canal P. O do tipo canal N é mais utilizado.

Para verificar se o MOSFET ligou, teste os terminais entre Dreno e Source com um multímetro na posição de diodo, conforme a figura a seguir: Se a tensão for próxima de 0V indica que o transistor ligou, pois existe condução entre os terminais.

Um MOSFET, comparado com outros dispositivos semicondutores de potência (IGBT, Tiristor...), tem como vantagens a alta velocidade de comutação e boa eficiência em baixa voltagem. Compartilha com o IGBT uma ponte isolada que torna mais fácil sua condução.

O transistor MOSFET (acrônimo de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, ou transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido metálico), é, de longe, o tipo mais comum de transistores de efeito de campo em circuitos tanto digitais quanto analógicos.