Como funciona o MOSFET?

Perguntado por: sribeiro . Última atualização: 4 de abril de 2023
4.6 / 5 12 votos

Quando uma tensão é aplicada entre os terminais comporta (gate) e fonte (source), o campo elétrico gerado penetra através do óxido e cria uma espécie de "canal invertido" no canal original abaixo dele. Assim, ele cria um condutor através do qual a corrente elétrica possa passar.

Um MOSFET é responsável por controlar tanto a tensão quanto a corrente elétrica originada na fonte para a operação do chip e ele atua em conjunto com o capacitor MOS (Metal Oxide Semiconductor), um semicondutor construído com substrato de silício.

O transistor MOSFET (acrônimo de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, ou transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido metálico), é o tipo mais comum de transistores de efeito de campo em circuitos digitais ou analógicos.

Um MOSFET, comparado com outros dispositivos semicondutores de potência (IGBT, Tiristor...), tem como vantagens a alta velocidade de comutação e boa eficiência em baixa voltagem. Compartilha com o IGBT uma ponte isolada que torna mais fácil sua condução.

Conforme discutido no artigo intitulado “Transistor MOSFET de Potência”, esse tipo de transistor é comandado por tensão, ou seja, para acionarmos um MOSFET precisamos aplicar uma tensão positiva maior ou menor que a tensão de threshold entre os terminais gate e source.

Os MOSFET se dividem em duas categorias, os MOSFET de depleção e os MOSFET de enriquecimento.

Nos Transistores de Efeito de Campo Semicondutor de Óxido Metálico, MOSFET, é como um transistor FET, porém o terminal Porta isolado demais por uma fina camada de óxido de silício, o que faz com que os transistores MOSFET tenham uma alta impedância (resistência) na entrada.

Acontece que quando o mosfet cortar a tensão fica negativa no dreno com a tensão de condução do diodo D271. No source a tensão fica com aproximadamente a tensão da fonte de +24V. Então, logo após cortar a tensão VDS fica com aprox. -24V - VD.

A principal diferença entre essa estrutura do IGBT e a de um MOSFET é a inclusão de um substrato P+ (O símbolo “+” foi colocado para indicar que esta região é fortemente dopada, enquanto que o símbolo “-” indica que a região é fracamente dopada) onde é conectado o terminal de coletor (collector).

Durante o projeto de conversores de energia, a escolha de MOSFETs deve ser cuidadosa, levando-se em conta tensão, corrente de operação, encapsulamento e também a Energia de Avalanche de pulso único.

Conhecido como transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido metálico. Representa uma classe especial de transistores de efeito de campo em circuitos digitais ou analógicos que, por ter uma rápida comutação, se torna especial para altas freqüências.

Para cortar um transistor MOSFET é necessário que Vgs < Vt e Id = 0, ou seja, a tensão de Gate e Source seja menor que a tensão de limiar, onde a corrente do Drain será igual a zero.

O teste mais simples é feito com o multímetro ou provador de continuidade e permite detectar apenas quando o componente está em curto. Testes mais completos podem ser feitos com circuitos simples de simulação ou ainda com o osciloscópio com a ajuda do gerador de funções.

Por este motivo, os IGBTs são preferidos para as aplicações que operam com baixas frequências de comutação, enquanto que os MOSFETs de potência têm um melhor desempenho nas aplicações em que correntes de frequências mais elevadas devam ser controladas.

Um transistor MosFET possui três pinos: Gate, Drain, e Source. O transistor MosFET funciona como uma "torneira" que controla o fluxo de corrente/tensão entre os pinos de fonte e dreno, através do nível de tensão do pino de gate.

A função básica de um IGBT é o chaveamento mais rápido possível das correntes elétricas com as menores perdas possíveis. Como o nome sugere, um IGBT é um transístor bipolar com uma estrutura de porta isolada; a própria porta é basicamente um MOSFET.